颐星FA失效分析实验室：专业探索失效根源，助力产品质量提升

颐星为了提高产品质量以及可靠性，配备FA失效分析实验室通过深入分析失效原因，找出产品设计和制造过程中的缺陷，从而指导企业改进生产工艺、优化产品设计，这不仅可以减少产品的故障率，还可以延长产品的使用寿命，提升用户体验。除了常规测试，我们还提供定制化的测试方案和解决方案，根据客户的特定需求进行测试设计，并提供专业的测试报告和建议，帮助客户评估和改进其产品的可靠性和稳定性。

FA分析流程

设备原理介绍

Emmi(微光显微镜)
在IC故障分析的流程中EMMI(又叫做PEM, Photon mission Microscope)是非常基本且常用的故障点定位工具，传统的EMMI是采用冷却式电荷耦合元件(C-CCD是一种集成电路，上有许多排列整齐的电容，能感应光线，并将影像转变成数位讯号。）来侦测光子。

侦测不到光子的情形
欧姆接触
金属互联短路；表面反型层；
亮点被遮蔽之；

InGaAs设备原理

InGaAsEMMI 与传统EMMI (Si CCD) 的侦测原理一样是侦测电子-电洞结合与热载子（在强电场作用下，半导体中载流子的平均动能显著超过热平衡载流子的平均动能。InGaAs可侦测的波长就比较长，侦测灵敏度也比CCD EMMI来得高。

可侦测的缺陷：
1. P-N接面/闸极氧化层漏电
2. 残留的多晶硅丝/硅基底的毁坏
3. 烧毁的组件等

侦测不到光子的情形
1. 亮点被遮蔽–埋层二极管及金属下泄漏点
2. 欧姆接触短路及金属连接短路
3. 漏电过小(<0.1uA)

OBIRCH机台原理

R-Obirch为雷射光束引生的电阻变化异常检验，其原理是利用波长为1340nm的雷射扫描IC，造成扫描点被局部加温的作用，在给予一个直流定电压的情况下，任何材质或操作的元件皆会因温度变化而产生阻值变化，因此电流也产生变化。

OBIRCH能分析的缺陷种类:
1.金属短路或金属桥接
2.栅氧化层钉洞
3.有源区短路
4.多晶短路或接触孔穗
5.阱短路或源/漏短路
6.上层通孔/接触孔/金属/多晶/有源区电阻失效
7.任何有材质不一样或厚度不样的短路、桥接、
8.泄露或高阻抗等的IC失效情况

THEMOS机台原理

THEMOS ELET是一款发热显微镜，配备了高灵敏度相机，可探测半导体器件的内部发热。通过将高精度热探测器探测到的发热图与模板图像叠加，可高精度地识别失效位置。

离子研磨系统

优化切片表面；
离子抛光宽度8mm
有截面和平面两种抛光模式

失效分析具体流程

除了颐星自己的FA的失效分析实验室外，我们还跟专业检测公司上海季丰有长期合作，从多个角度、运用多种技术手段对失效器件进行全面、深入的分析，为客户提供更加专业的服务。