中低压MOS管，即金属氧化物半导体场效应晶体管， 通常指工作电压为 10V-300V 之间的 MOSFET 功率器件，包括沟槽栅 VDMOS 及屏蔽栅 MOSFET。与普通沟槽栅VDMOS相比屏蔽栅MOSFET结构更为复杂，因为其额外引入了屏蔽栅结构，可以大大提升优化器件的导通特性和开关性能，但相应地也增加了制造难度和成本。

颐星电子推出了业界领先的30V/N沟道MOSFET-EPT03N099LCFQ。该器件主要电气参数RDS(ON)_Typ 优于友商同类产品。采用薄小型 PDFN3333-8L封装，在VGS＝10V条件下, RDS(ON)_Typ 低至 0.99mΩ，达成同类Punch-type业界最佳性能，广泛应用于开关电源同步整流及BLDC电机等领域。

通过对比我们可以看出颐星产品导通损耗降低了很多，输出功率相应也增加了，在实际应用中极大程度地降低了系统整体功率损耗，并减少MOS并联的数量。非常适合应用在需要高效率、低功耗的电路中。

可应用的场景

1.新能源与电动电车

电池管理：MOS 管可以调节充电电流的大小，确保电池按照安全、合适的电流进行充电。电机控制：MOS 管的高速开关特性可以实现对电机三相绕组的精确控制。通过调节 MOS 管的导通和截止时间，能够改变电机输入的交流电压的频率和幅值，从而实现电机的调速。

2.通信设备

满足信号的覆盖范围和信号质量的要求，同时也能确保信号在正确的电路中完整，高效的传输

3.消费电子

电源管理：一般进行充电控制和电源分配与转换， 音频处理：MOS管可以利用其放大特性对音频信号的功率进行放大，使扬声器或耳机能发出足够音量的声音